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Das Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter (CST) arbeitet grundlagen- und anwendungsorientiert im Bereich der Abscheidung und Charakterisierung von Verbindunghalbleitern und organischen Halbleitermaterialien sowie auf dem Gebiet elektronischer und optoelektronischer Bauelemente. Die konkreten Forschungsziele sind energieeffiziente Bauelemente für die Leistungselektronik, Displaytechnologie, Festkörperbeleuchtung, Optoelektronik sowie organische/hybride Photovoltaik.

Die Gruppe III-Nitride eigenen sich als Halbleiter mit hohem Bandabstand für Hochfrequenz- und Leistungstransistoren für die Kommunikations- und Leistungselektronik. Die im Bereich von 0.8 eV bis 6.2 eV einstellbare direkte Bandlücke macht dieses Material für Leucht- und Laserdioden sowie Solarzellen interessant.

Organische Halbleiter dagegen sind für die Abscheidung auf großflächigen und flexiblen Substraten prädestiniert. Elektrisch und optisch aktive Schichten finden daher vor allem im low-cost Berech der Consumer-Elektronik, bei Beleuchtung, Photovoltaik und Displays weite Anwendungsmöglichkeiten.

Unsere Aktivitäten konzentrieren sich an zwei Standorten an denen wir über hervorragendes Equipment und hochmoderne Infrastruktur verfügen.

 


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