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Inhalt

Gruppe III-Nitride


Die wissenschaftlichen und technologischen Schwerpunkte der Aktivitäten der Arbeitsgruppe "Gruppe III-Nitride" liegen im Bereich der Materialabscheidung, der Schichtstrukturentwicklung, der Prozesstechnologie und der Bauelementtechnologie für die Hochleistungselektronik und die Optoelektronik auf Basis des Verbindungshalbleiters Galliumnitrid. In enger Zusammenarbeit mit anderen Arbeitsgruppen ist das vorrangige Ziel für die nächsten Jahre die Entwicklung von Leistungstransistoren und Leistungsschaltungen für hohe Frequenzen und Leistungen sowie von optoelektronischen Komponenten basierend auf dem Materialsystem Al-Ga-In-N. Ein spezieller Fokus ist die Erforschung und der Einsatz alternativer Substrate wie z. B. Si und Lithiumaluminiumoxid für die GaN-Leistungselektronik und die Optoelektronik.

 

Wissenschaftliche Leitung

RWTH Aachen Univ.-Prof. Dr.-Ing. Andrei Vescan
RWTH Aachen Dr.rer.nat. Holger Kalisch
AIXTRON SE und RWTH Aachen Prof. Dr.-Ing. Michael Heuken

Strategische Ziele

  • Fortführung des Engagements der RWTH Aachen im Bereich der Verbindungshalbleiter für die Hochfrequenzelektronik in der Tradition Prof. Beneking - Prof. Balk - Prof. Heime
  • Bündelung des wissenschaftlichen und technologischen Potentials in der III-V-Halbleitertechnik in der Region Aachen mit dem Ziel der Aufbaus eines Kompetenznetzwerks auch über die Grenzen der Region und Deutschlands hinaus
  • Technologienahe Ausbildung von Studierenden an der RWTH Aachen in diesem Themengebiet
  • Finanzierung durch Kombination von öffentlichen Forschungsmitteln, Wirtschaftsförderung und Drittmitteln aus der Industrie

Aufbau und technologische Ausstattung der Arbeitsgruppe

  • Nutzung des Zentrallabors für Technologie (ZT) mit 350 m2 Reinraumfläche
  • AIXTRON-MOVPE-Anlage (AIX 200/4 RF-S) zur Abscheidung von Nitrid-Schichtstrukturen
  • Equipment zur Reinigung, Präparation, Temperung, Metallisierung, Beschichtung, Strukturierung, Trockenätzen, ...
  • Umfassende Charakterisierung der Halbleiterschichten mit Röntgenbeugung, Mikroskopie, Lumineszenzspektroskopie, elektrischen Messungen, ...
  • Komplette Prozessierungskette für elektronische und optoelektronische Bauelemente auf Basis der Gruppe III-Nitride

 


Abschlußinformationen